參數(shù)資料
型號： 4AK23
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel Power MOS FET Array
中文描述： 硅N溝道功率MOS場效應管陣列
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 40K
代理商： 4AK23
4AK23
4
6
0
100
50
150
Maximum Channel Dissipation Curve
Channel
Dissipation
Pch
(W)
Ambient Temperature Tc (°C)
4
2
Condition : Channel Dissipation of
each die is identical
4 Device Operation
3 Device Operation
2 Device Operation
1 Device Operation
48
0
100
50
150
Maximum Channel Dissipation Curve
Channel
Dissipation
Pch
(W)
Case Temperature Tc (°C)
32
16
Condition : Channel Dissipation of
each die is identical
4 Device Operation
3 Device Operation
2 Device Operation
1 Device Operation
50
5
1
0.1
5 10
Drain to Source Voltage V
(V)
DS
Drain
Current
I
(A)
D
Maximum Safe Operation Area
10
0.5
0.05
0.5 1
20
100
1 ms
DC
Operation
(Tc
=
25°C)
100
s
0.2
2
50
0.2
2
20
10
s
PW
=
10
ms
(1
Shot)
Operation
in
this
area
is
limited
by
R
(on)
DS
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