參數(shù)資料
型號(hào): 4AM02MH5
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: High-side Switch
中文描述: 高邊開關(guān)
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
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代理商: 4AM02MH5
4AM02MH5
No.7431-2/4
DC Characteristics at Ta=25
°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
VDD=5V
3.5
V
High-level Input Voltage
VIH
VDD=10V
7.0
V
VDD=15V
11.0
V
VDD=25V
18.0
V
VDD=5V
1.5
V
Low-level Input Voltage
VIL
VDD=10V
3.0
V
VDD=15V
4.0
V
VDD=25V
7.0
V
Input Leakage Current
IIN
VDD=25V, VIN=25V
0.1
A
VDD=25V, VIN=0
0.1
A
VDD=5V, IO=1mA
4.5
V
High-level Output Voltage
VOH
VDD=10V, IO=2.5mA
9.0
V
VDD=15V, IO=5.0mA
13.5
V
VDD=25V, IO=10mA
22.5
V
VDD=5V, VIN=VDD, GND
0.25
A
Supply Current
IDD
VDD=10V, VIN=VDD, GND
0.5
A
VDD=15V, VIN=VDD, GND
1.0
A
VDD=25V, VIN=VDD, GND
2.0
A
AC Characteristics at Ta=25
°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
VDD=5V, RL=1.5k
40
ns
tPZH
VDD=10V, RL=1k
20
ns
VDD=15V, RL=750
15
ns
Propagation Delay Time
VDD=25V, RL=500
12
ns
VDD=5V, RL=1.5k
30
ns
tPHZ
VDD=10V, RL=1k
20
ns
VDD=15V, RL=750
15
ns
VDD=25V, RL=500
12
ns
Input Capacitance
CIN
8pF
Block Diagram
Switching Time Test Circuit
Switching Time Wave Form
54
VDD
OUT
123
NC
IN
GND
Input
10ns
Output
90%
50%
tPZH
tPHZ
GND
VOH
VDD
OUT
RL
CL=10pF
IN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
4AM03MH5 4AM03MH5
4AM04MH5 4AM04MH5
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4AM13 Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array(N溝道/P溝道功率MOSFET陣列)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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