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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 4AM16 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array(N溝道/P溝道功率MOSFET陣列) |
| 中文描述： | 硅N-Channel/P-Channel功率MOS FET陣列（不適用溝道/頁溝道功率MOSFET的陣列） |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | 4AM16 |
4AM16
5
6
5
4
3
2
1
0
Collector
Power
Dissipation
Pc
(W)
50
100
150
125
Ambient Temperature
Tc (°C)
75
25
4 Device Operation
3 Device Operation
2 Device Operation
1 Device Operation
each die is is idetical
Condition : Channel dissipation of
Maximum Channel Dissipation Curve
30
20
10
0
Collector
Power
Dissipation
Pc
(W)
50
100
150
125
Case Temperature
Tc (°C)
75
25
4 Device Operation
3 Device Operation
2 Device Operation
1 Device Operation
each die is is idetical
Condition : Channel dissipation of
Maximum Channel Dissipation Curve
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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