參數(shù)資料
型號(hào)： 4N32VM
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 光電耦合器
英文描述： General Purpose 6-Pin Photodarlington Optocoupler
中文描述： 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER
封裝： DIP-6
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 275K
代理商： 4N32VM
2007 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
4NXXM, H11B1M, TIL113M Rev. 1.0.3
3
4N29M,
4N30M,
4N32M,
4N33M,
H11B1M,
TIL113M
—
General
Purpose
6-Pin
Photodarlington
Optocoupler
Electrical Characteristics (T
A = 25°C Unless otherwise specied.)
Individual Component Characteristics
Transfer Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Device
Min.
Typ.
Max.
Unit
EMITTER
VF
Input Forward Voltage*
IF = 10mA
4NXXM
1.2
1.5
V
H11B1M,
TIL113M
0.8
1.2
1.5
IR
Reverse Leakage Current*
VR = 3.0V
4NXXM
0.001
100
A
VR = 6.0V
H11B1M,
TIL113M
0.001
10
C
Capacitance*
VF = 0V, f = 1.0MHz
All
150
pF
DETECTOR
BVCEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage* IC = 1.0mA, IB = 0
4NXXM,
TIL113M
30
60
V
H11B1M
25
60
BVCBO
Collector-Base Breakdown Voltage*
IC = 100A, IE = 0
All
30
100
V
BVECO
Emitter-Collector Breakdown Voltage* IE = 100A, IB = 0
4NXXM
5.0
10
V
H11B1M,
TIL113M
710
ICEO
Collector-Emitter Dark Current*
VCE = 10V, Base Open
All
1
100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Device
Min.
Typ.
Max.
Unit
DC CHARACTERISTICS
IC(CTR)
Collector Output Current*(1, 2)
IF = 10mA, VCE = 10V,
IB = 0
4N32M,
4N33M
50 (500)
mA (%)
4N29M,
4N30M
10 (100)
IF = 1mA, VCE = 5V
H11B1M
5 (500)
IF = 10mA, VCE = 1V
TIL113M
30 (300)
VCE(SAT)
Saturation Voltage*(2)
IF = 8mA, IC = 2.0mA
4NXXM
1.0
V
TIL113M
1.25
IF = 1mA, IC = 1mA
H11B1M
1.0
AC CHARACTERISTICS
ton
Turn-on Time
IF = 200mA, IC = 50mA,
VCC = 10V, RL = 100
4NXXM,
TIL113M
5.0
s
IF = 10mA, VCE = 10V,
RL = 100
H11B1M
25
toff
Turn-off Time
IF = 200mA, IC = 50mA,
VCC = 10V, RL = 100
4N32M,
4N33M,
TIL113M
100
s
4N29M,
4N30M
40
IF = 10mA, VCE = 10V,
RL = 100
H11B1M
18
BW
Bandwidth(3, 4)
30
kHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
4N29M 6-Pin DIP Photodarlington Output Optocoupler; Package: DIP-W; No of Pins: 6; Container: Bulk
4N29SM 6-Pin DIP Photodarlington Output Optocoupler; Package: SMDIP-W; No of Pins: 6; Container: Bulk
4N29SR2M 6-Pin DIP Photodarlington Output Optocoupler; Package: SMDIP-W; No of Pins: 6; Container: Tape & Reel
4N29TM 6-Pin DIP Photodarlington Output Optocoupler; Package: DIP-W; No of Pins: 6; Container: Bulk
4N30M 6-Pin DIP Photodarlington Output Optocoupler; Package: DIP-W; No of Pins: 6; Container: Bulk
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
4N32W 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N32-X000 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Photodarlington Out Single CTR >500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N32-X001 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N32-X006 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N32-X007 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
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