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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 4N35-300E |
| 廠商： | AGILENT TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | 光電耦合器 |
| 英文描述： | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封裝： | LEAD FREE, SMD, DIP-6 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 403K |
| 代理商： | 4N35-300E |
4
Figure 1. Forward current vs. temperature.
Figure 2. Collector power dissipation vs.
temperature.
Figure 3. Forward current vs. forward voltage.
I F
–
FORWARD
CURRENT
–
mA
0
TA – AMBIENT TEMPERATURE – °C
-25
75
125
60
25
20
40
100
0
50
100
-55
80
P
C
–
COLLECTOR
POWER
DISSIPATION
–
mW
0
TA – AMBIENT TEMPERATURE – °C
-25
75
125
200
25
100
400
0
50
100
-55
300
I F
–
FORWARD
CURRENT
–
mA
1
VF – FORWARD VOLTAGE – V
2.0
3.0
10
5
500
1.0
0
TA = 75°C
0.5
1.5
2.5
2
20
50
100
200
TA = 50°C
TA = 25°C
TA = 0°C
TA = -25°C
* CTR =
x 100%
IC
IF
Electrical Specifications (TA = 25C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Units
Test Conditions
Forward Voltage
VF
–
1.2
1.5
V
IF = 10 mA
Reverse Current
IR
––10
AVR = 4 V
Terminal Capacitance
Ct
–
50
–
pF
V = 0, f = 1 KHz
Collector Dark Current
ICEO
––50
nA
VCE = 10 V, IF = 0, TA = 25C
–
500
AVCE = 30 V, IF = 0, TA = 100C
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BVCEO
30
–
V
IC = 0.1 mA, IF = 0
Emitter-Collector Breakdown Voltage
BVECO
7–
–
V
IE = 10
A, IF = 0
Collector-Base Breakdown Voltage
BVCBO
70
–
V
IC = 0.1 mA, IF = 0
Collector Current
IC
10
–
mA
IF = 10 mA
*Current Transfer Ratio
CTR
100
–
%
VCE = 10 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
–
0.3
V
IF = 50 mA, IC = 2 mA
Response Time (Rise)
tr
–3
10
sVCC = 10 V, IC = 2 mA
Response Time (Fall)
tf
–3
10
sRL = 100
Isolation Resistance
Riso
5 x 1010
1 x 1011
–
DC 500 V
40 ~ 60% R.H.
Floating Capacitance
Cf
–
1
2.5
pF
V = 0, f = 1 MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N35-W00E | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N35-W00 | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N35-000 | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N35(LF4) | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N35(TP5) | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 4N35-300E | 制造商:Avago Technologies 功能描述:Optocoupler |
| 4N35300W | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N35-360E | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 3550 Vrms 60mA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N353S | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler SM-DIP6 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N353SD | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler SM-DIP6 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
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