參數(shù)資料
型號(hào)： 4N35300W
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 光電耦合器
英文描述： GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
中文描述： 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
封裝： DIP-6
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大?。?/td> 272K
代理商： 4N35300W
4NXXM,
H11AXM
General
Purpose
6-Pin
Phototransistor
Optocoupler
s
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
4NXXM, H11AXM Rev. 1.0.0
2
Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C unless otherwise specied)
Electrical Characteristics (TA = 25°C unless otherwise specied)
Individual Component Characteristics
Isolation Characteristics
*Typical values at TA = 25°C
Symbol
Parameter
Value
Units
TOTAL DEVICE
TSTG
Storage Temperature
-55 to +150
°C
TOPR
Operating Temperature
-55 to +100
°C
TSOL
Wave solder temperature (see page 8 for reow solder prole)
260 for 10 sec
°C
PD
Total Device Power Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25°C
250
mW
2.94
EMITTER
IF
DC/Average Forward Input Current
60
mA
VR
Reverse Input Voltage
6
V
IF(pk)
Forward Current – Peak (300s, 2% Duty Cycle)
3
A
PD
LED Power Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25°C
120
mW
1.41
mW/°C
DETECTOR
VCEO
Collector-Emitter Voltage
30
V
VCBO
Collector-Base Voltage
70
V
VECO
Emitter-Collector Voltage
7
V
PD
Detector Power Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25°C
150
mW
1.76
mW/°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.*
Max.
Unit
EMITTER
VF
Input Forward Voltage
IF = 10mA
1.18
1.50
V
IR
Reverse Leakage Current
VR = 6.0V
0.001
10
A
DETECTOR
BVCEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC = 1.0mA, IF = 0
30
100
V
BVCBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 100A, IF = 0
70
120
V
BVECO
Emitter-Collector Breakdown Voltage
IE = 100A, IF = 0
7
10
V
ICEO
Collector-Emitter Dark Current
VCE = 10V, IF = 0
1
50
nA
ICBO
Collector-Base Dark Current
VCB = 10V
20
nA
CCE
Capacitance
VCE = 0V, f = 1 MHz
8
pF
Symbol
Characteristic
Test Conditions
Min.
Typ.*
Max.
Units
VISO
Input-Output Isolation Voltage
f = 60Hz, t = 1 sec
7500
Vac(pk)
RISO
Isolation Resistance
VI-O = 500 VDC
1011
CISO
Isolation Capacitance
VI-O = &, f = 1MHz
0.2
2
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
4N35300W_NL 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
4N35300 GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
4N353S GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
4N353SD GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
4N35SHORT PHOTO TRANSISTOR (AC LINE/DIGITAL LOGIC ISOLATOR)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
4N35-360E 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 3550 Vrms 60mA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類(lèi)型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N353S 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler SM-DIP6 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類(lèi)型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N353SD 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler SM-DIP6 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類(lèi)型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N353SD-NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
4N35-500E 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 3550 Vrms 60mA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類(lèi)型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*