參數(shù)資料
型號: 4N35MTB-V
廠商: Everlight Electronic Co., Ltd.
英文描述: 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER
中文描述: 6引腳DIP光電晶體管光電耦合器
文件頁數(shù): 8/13頁
文件大?。?/td> 376K
代理商: 4N35MTB-V
6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR
PHOTOCOUPLER
Everlight Electronics Co., Ltd.
4
http:\\www.everlight.com
Document No:DPC-717-044 Rev. 0
September 12, 2007
4N2X Series
4N3X Series
H11AX Series
Transfer Characteristics (Ta=25°C unless specified otherwise)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.*
Max.
Unit
Condition
4N35, 4N36,
4N37
100
-
H11A1
50
-
H11A5
30
-
4N25, 4N26,
4N38,
H11A2, H11A3
20
-
Current
transfer
ratio
4N27, 4N28,
H11A4
CTR
10
-
%
IF = 10mA, VCE = 10V
4N25, 4N26,
4N27, 4N28
-
0.5
IF = 50mA, Ic = 2mA
4N35, 4N36,
4N37
-
0.3
H11A1,
H11A2,
H11A3,
H11A4,
H11A5
-
0.4
IF = 10mA, Ic = 0.5mA
Collector-Emitter
saturation
voltage
4N38
VCE(sat)
-
1.0
V
IF = 20mA, Ic = 4mA
Isolation resistance
RIO
10
11
-
Ω
VIO = 500Vdc
Input-output capacitance
CIO
-
0.2
-
pF
VIO = 0, f = 1MHz
4N25, 4N26,
4N27, 4N28,
H11A1,
H11A2,
H11A3,
H11A4,
H11A5
-
3
10
VCC = 10V, IF = 10mA,
RL = 100Ω
See Fig. 11
Turn-on time
4N35, 4N36,
4N37, 4N38
Ton
-
10
12
s
VCC = 10V, IC = 2mA,
RL = 100Ω, See Fig. 11
4N25, 4N26,
4N27, 4N28,
H11A1,
H11A2,
H11A3,
H11A4
-
3
10
VCC = 10V, IF = 10mA,
RL = 100Ω
See Fig. 11
Turn-off time
4N35, 4N36,
4N37, 4N38
Toff
-
9
12
s
VCC = 10V, IC = 2mA,
RL = 100Ω, See Fig. 11
* Typical values at Ta = 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
4N35S1TA-V 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER
4N35S1TB-V 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER
4N35STB-V 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER
4N35V Optocoupler with Phototransistor Output
4N35 Tantalum Chip Capacitor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
4N35M-V 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N35S 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 PTR 100%, 3.5KV RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N35S(TA) 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N35S(TA)-V 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N35S(TB) 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk