參數(shù)資料
型號(hào)： 4N37-X001
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 光電耦合器
英文描述： 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-6
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大小： 137K
代理商： 4N37-X001
Document Number: 83717
For technical questions, contact: optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
Rev. 1.5, 07-May-08
155
4N35/4N36/4N37/4N38
Optocoupler, Phototransistor Output,
with Base Connection
Vishay Semiconductors
Notes
(1) Tamb = 25 °C, unless otherwise specified.
Minimum and maximum values are testing requirements. Typical values are characteristics of the device and are the result of engineering
evaluation. Typical values are for information only and are not part of the testing requirements.
(2) Indicates JEDEC registered value.
Note
(1) Indicates JEDEC registered values.
Note
(1) Indicates JEDEC registered values.
OUTPUT
Collector base breakdown
voltage(2)
IC = 100 A, IB = 1 A
4N35
BVCBO
70
V
4N36
BVCBO
70
V
4N37
BVCBO
70
V
4N38
BVCBO
80
V
Collector emitter leakage current(2)
VCE = 10 V, IF = 0
4N35
ICEO
550
nA
4N36
ICEO
550
nA
VCE = 10 V, IF = 0
4N37
ICEO
550
nA
VCE = 60 V, IF = 0
4N38
ICEO
50
nA
VCE = 30 V, IF = 0,
Tamb = 100 °C
4N35
ICEO
500
A
4N36
ICEO
500
A
4N37
ICEO
500
A
VCE = 60 V, IF = 0,
Tamb = 100 °C
4N38
ICEO
6A
Collector emitter capacitance
VCE = 0
CCE
6pF
COUPLER
Resistance, input output(2)
VIO = 500 V
RIO
1011
Ω
Capacitance, input output
f = 1 MHz
CIO
0.5
pF
CURRENT TRANSFER RATIO
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
SYMBOL
MIN
TYP.
MAX
UNIT
DC current transfer ratio(1)
VCE = 10 V, IF = 10 mA
4N35
CTRDC
100
%
4N36
CTRDC
100
%
4N37
CTRDC
100
%
VCE = 10 V, IF = 20 mA
4N38
CTRDC
20
%
VCE = 10 V, IF = 10 mA,
TA = - 55 to + 100 °C
4N35
CTRDC
40
50
%
4N36
CTRDC
40
50
%
4N37
CTRDC
40
50
%
4N38
CTRDC
30
%
SWITCHING CHARACTERISTICS
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Switching time(1)
VCC = 10 V, IC = 2 mA, RL = 100 Ω
ton, toff
10
s
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (1)
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
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PDF描述
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參數(shù)描述
4N37-X006 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N37-X007 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N37-X009 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>100% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N38 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
4N38(SHORT) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:PHOTOCOUPLER TRANS OUT 6-DIP
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