5LP01C-TB-E

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

5LP01C-TB-E
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
41690
SANYO
SOT-23
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

5LP01C-TB-E
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
ON
SOT-163
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

5LP01C-TB-E
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團）有限公司
聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3232
ON
SOT23
2235+
-
十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

5LP01C-TB-E
深圳市軒盛達電子有限公司
深圳市軒盛達電子有限公司
聯(lián)系人：陳
電話：1588932848313924772445
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103
10000
-
原廠原裝現(xiàn)貨，代找緊缺料

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功能描述
MOSFET NCH 1.5V DRIVE SERIES
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

5LP01C-TB-E 技術(shù)參數(shù)

5LN01S-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SMCP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 5LN01SS-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:3-SSFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 5LN01SS-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:3-SSFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 5LN01SP-AC 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 5LN01SP 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 歐姆 @ 50mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應(yīng)商器件封裝:3-SPA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 5LPCV24110 5LPCV2415 5LPCV2425 5LPCV2440 5LPCV2475 5M1010B 5M1010B-2 5M1010B-3 5M1010BCT 5M1010BCT-2 5M1010BCT-3 5M1020B 5M1020B-2 5M1020B-3 5M1020BCT 5M1020BCT-2 5M1020BCT-3 5M1210B