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參數(shù)資料
| 型號： | 5KP6.0A-E3/51 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述： | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 88K |
| 代理商： | 5KP6.0A-E3/51 |
www.vishay.com
4
Document Number 88308
20-Jun-06
Vishay General Semiconductor
5KP5.0 thru 5KP188A
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
ORDERING INFORMATION
PREFERRED P/N
UNIT WEIGHT (g)
PREFERRED PACKAGE CODE
BASE QUANTITY
DELIVERY MODE
5KP5.0A-E3/54
2.776
54
800
13" Diameter Paper Tape & Reel
Figure 1. Peak Pulse Power Rating Curve
Figure 2. Pulse Power or Current vs. Initial
Junction Temperature
0.1 s
1.0 s
10 s
100 s
1 ms
10 ms
0.1
1.0
10
100
Non-repetitive pulse
waveform shown in
Fig. 3 TA = 25 °C
P
PPM
,P
e
ak
P
u
lse
P
o
w
er
(k
W
)
td, Pulse Width
100
75
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
P
eak
P
u
lse
P
o
w
er
(P
PP
)or
C
u
rrent
(I
PP
)
Der
ating
in
P
ercentage
,
%
TJ - Initial Temperature (°C)
Figure 3. Pulse Waveform
Figure 4. Typical Junction Capacitance
0
50
100
150
td
0
1.0
2.0
3.0
4.0
IPPM
-
P
e
ak
P
u
lse
C
u
rrent,
%
I
RSM
t - Time (ms)
tr = 10 sec.
Peak Value
IPPM
Half Value -
IPPM
IPP
2
10/1000 sec. Waveform
as defined by R.E.A.
TJ = 25 °C
Pulse Width (td)
is defined as the point
where the peak current
decays to 50 % of IPPM
1
10
100
200
100
1000
10000
100000
C
J,
J
u
nction
Capacitance
(pF)
VWM - Reverse Stand-off Voltage (V)
Measured at
Zero Bias
Measured at Stand-off
Voltage VWM
TJ = 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig = 50 mVp-p
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5KP6.0A-E3/73 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP64-E3/23 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP6.0A-E3/4 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP7.0A-E3/73 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 5KP20-E3/51 | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 5KP60A-G | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 5000W VRWM=60V,Unidi RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| 5KP60AHE3/54 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 5KW 60V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| 5KP60AHE3/73 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 5KW 60V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| 5KP60A-HR | 功能描述:TVS DIODE 60VWM 96.8VC AXIAL 制造商:littelfuse inc. 系列:5KP-HR 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:60V 電壓 - 擊穿（最小值）:66.7V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:96.8V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:52.7A 功率 - 峰值脈沖:5000W（5kW） 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:P600，軸向 供應商器件封裝:P600 標準包裝:800 |
| 5KP60A-HRA | 功能描述:TVS DIODE 60VWM 96.8VC AXIAL 制造商:littelfuse inc. 系列:5KP-HRA 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:60V 電壓 - 擊穿（最小值）:66.7V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:96.8V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:52.7A 功率 - 峰值脈沖:5000W（5kW） 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:P600，軸向 供應商器件封裝:P600 標準包裝:800 |
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