參數(shù)資料
型號: 63CTQ100
廠商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類: 整流器
英文描述: 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
文件頁數(shù): 4/7頁
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代理商: 63CTQ100
www.vishay.com
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
Document Number: 94245
4
Revision: 13-Aug-08
63CTQ100PbF
Vishay High Power Products
Schottky Rectifier, 2 x 30 A
Fig. 5 - Maximum Allowable Case Temperature vs.
Average Forward Current
Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 7 - Maximum Non-Repetitive Surge Current (Per Leg)
Note
(1) Formula used: TC = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC;
Pd = Forward power loss = IF(AV) x VFM at (IF(AV)/D) (see fig. 6);
PdREV = Inverse power loss = VR1 x IR (1 - D); IR at VR1 = 80 % rated VR
030
IF(AV) - Average Forward Current (A)
Allo
wab
le
Case
T
e
mperature
(°C)
110
160
130
20
15
10
5
See note (1)
25
180
90
Square wave (D = 0.50)
80 % rated V
R applied
35
40
45
100
120
140
150
170
DC
0
025
20
A
v
era
g
e
P
o
wer
Loss
(W)
IF(AV) - Average Forward Current (A)
5
101520
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
30
10
15
5
35
40
45
30
RMS limit
25
DC
100
1000
tp - Square Wave Pulse Duration (s)
I FSM
-
Non-Repetitive
Sur
g
e
Current
(A)
100
10 000
10
10 000
1000
At any rated load condition
and with rated V
RRM applied
following surge
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PDF描述
63CTQ100 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
63CTQ100PBF 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
63SPB080AR 60 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
63SPB080 60 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
63SPB080A 60 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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