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參數(shù)資料
| 型號： | 69F1608 |
| 廠商： | Maxwell Technologies, Inc |
| 英文描述： | 128 Megabit (16M x 8-Bit) Flash Memory Module |
| 中文描述： | 128兆位（16米x 8位）閃存模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 4/33頁 |
| 文件大小： | 817K |
| 代理商： | 69F1608 |
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4
All data sheets are subject to change without notice
2005 Maxwell Technologies
All rights reserved.
128 Megabit (16Mx 8-Bit) Flash Memory Module
69F1608
01.07.05 REV 2
T
ABLE
6. 69F1608 DC
AND
O
PERATING
C
HARACTERISTICS
(V
CC
= 5 V ± 10%, T
A
= -40
TO
125
°
C,
UNLESS
OTHERWISE
NOTED
)
P
ARAMETER
S
YMBOL
T
EST
C
ONDITIONS
S
UBGROUPS
M
IN
T
YP
M
AX
U
NIT
Operating current
1
1. Only one (1) CE 1-4 active at a time.
2. CE1-4 Leakage Current = +/- 10uA.
Sequential
read
I
CC1
t
CYCLE
= 80 ns
CEX = V
IL
I
OUT
= 0 mA
1, 2, 3
--
15
30
mA
Program
I
CC2
I
CC3
I
SB1
1, 2, 3
--
15
30
Erase
1, 2, 3
--
25
40
Stand-by-current (TTL)
CE 1-4 = V
IH
WP = SE = 0V or V
CC
CE1-4 = V
CC
- 0.2
WP = SE = 0V or V
CC
V
IN
= 0 to 5.5 V
V
OUT
= 0 to 5.5 V
1, 2, 3
--
--
4
mA
Stand-by current (CMOS)
I
SB2
1, 2, 3
--
40
400
uA
Input leakage current
2
I
LI
I
LO
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
1, 2, 3
-40
--
40
uA
Output leakage current
1, 2, 3
-40
--
40
uA
Input high voltage, all inputs
1, 2, 3
2.0
--
--
V
Input low voltage, all inputs
1, 2, 3
--
--
0.8
V
Output high voltage level
I
OH
= -400 μA
I
OL
= 2.1 mA
V
OL
= 0.4 V
1, 2, 3
2.4
--
--
V
Output low voltage level
1, 2, 3
--
--
0.4
V
Outuput low current (R/B)
I
OL
(R/B)
1, 2, 3
8
10
--
mA
T
ABLE
7. 69F1608 C
APACITANCE
1
1. Capacitance Guarenteed by design.
P
ARAMETER
S
YMBOL
S
UBGROUPS
T
EST
C
ONDITION
M
IN
M
AX
U
NIT
Input/Output capacitance
Input capacitance (CE1-4 = 10pF)
C
I/O
C
IN
4, 5, 6
4, 5, 6
V
IL
= 0V
V
IN
= 0V
--
--
40
40
pF
pF
T
ABLE
8. 69F1608 M
ODE
S
ELECTION
CLE
ALE
CE
WE
RE
SE
WP
M
ODE
H
L
L
H
X
X
Read Mode
Command Input
L
H
L
H
X
X
Address Input (3
Clock)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 69F1608RPFI | 128 Megabit (16M x 8-Bit) Flash Memory Module |
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| 6A1M | CONNECTOR ACCESSORY |
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參數(shù)描述 |
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