參數(shù)資料
型號(hào): 6LP04MH
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
中文描述: P溝道MOSFET的硅通用開(kāi)關(guān)器件應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大小: 48K
代理商: 6LP04MH
6LP04MH
No. A0457-2/4
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Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Qg
Qgs
Qgd
VSD
VDS=--30V, VGS=--4V, ID=--100mA
VDS=--30V, VGS=--4V, ID=--100mA
VDS=--30V, VGS=--4V, ID=--100mA
IS=--100mA, VGS=0V
0.58
0.14
0.03
--0.91
nC
nC
nC
V
--1.5
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7019A-003
Switching Time Test Circuit
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : MCPH3
0
0
0
2
1
2.0
0.65
0.3
0
0.15
1
2
3
0 to 0.02
PW=10
μ
s
D.C.
1%
0V
--4V
VIN
P.G
50
G
D
ID= --50mA
RL=600
VOUT
VDD= --30V
6LP04MH
S
VIN
R=5k
ID -- VDS
ID -- VGS
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
D
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
S
O
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
S
O
Ambient Temperature, Ta --
°
C
D
--50
--150
--100
0
0
--20
--10
--60
--40
--80
--30
--70
--50
--90
--100
0
--1.0
--0.8
--0.6
--0.1
--0.2
--0.4
--0.9
--0.7
--0.3
--0.5
IT11252
0
--1.0
--0.5
--2.0
--1.5
--2.5
IT11253
IT11255
0
--2
--4
--6
--8
--10
IT11254
30
0
10
20
5
15
25
T=
7
°
C
2
°
C
-5
°
C
Ta=25
°
C
VGS= --1.5V
VDS=
--
10V
--60
0
10
15
5
20
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
ID= --30mA, VGS= --2.5V
I
D
= --50mA, V
GS
= --4.0V
-60V
ID= --10mA
--50mA
-25V
-30V
-80
-45V
-40V
--30mA
ID= --10mA, VGS= --1.5V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
6MBI100F-060 IGBT MODULE
6MI100F-060 IGBT MODULE
6MBI100L-060 IGBT MODULE(L series)
6MBI100S-120 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I; Body Material:Aluminum Alloy; Series:MS3120; No. of Contacts:32; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle RoHS Compliant: No
6MBI100FA-060 IGBT MODULE
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參數(shù)描述
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6LP04SS 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
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