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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 6MBI150U2B-060 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT MODULE (U series) 600V / 150A |
| 中文描述： | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-35 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | 6MBI150U2B-060 |
IGBT Module
6MBI150U2B-060
Characteristics (Representative)
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
Tj=25°C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 125°C / chip
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C
Dynamic Gate charge (typ.)
Vcc=300V, Ic=150A, Tj= 25°C
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 25°C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
0
100
200
300
400
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V15V 12V
10V
8V
0
100
200
300
400
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V15V
12V
10V
8V
0
100
200
300
400
0
1
2
3
4
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Tj=125°C
Tj=25°C
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
C
Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]
Ic=300A
Ic=150A
Ic= 75A
0.1
1.0
10.0
100.0
0
10
20
30
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
400
500
0
200
400
600
800
0
5
10
15
20
25
C
Gate charge : Qg [ nC ]
VGE
VCE
G
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6MBI200FB-060 | IGBT MODULE |
| 6MBI300U-120 | IGBT Module U-Series |
| 6MBI35S-120L | IGBT(1200V/6x35A) |
| 6MBI35S-120 | IGBT(1200V/35A) |
| 6MBI50S-120L | IGBT(1200V/6x50A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 6MBI150U2B-060(P) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBTs |
| 6MBI150U4B-120 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
| 6MBI150U4B-120-50 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:6 Pack IGBT 150A 1200V,6MBi150U4B-120-50 |
| 6MBI150U4B-170 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
| 6MBI150UB-120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBTs |
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