參數(shù)資料
型號(hào)： 6MBI75S-140
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT Module
中文描述： 100 A, 1400 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-39
文件頁(yè)數(shù)： 9/13頁(yè)
文件大?。?/td> 448K
代理商： 6MBI75S-140
H04-004-03
13
MS5F 5497
9
Vcc=600V
，
Ic=75A
，
Tj= 25
℃
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25
℃
Dynamic Gate charge (typ.)
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 25
℃
/ chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 125
℃
/ chip
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
Tj=25
C / chip
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
0
50
100
150
200
0
1
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
2
3
4
5
C
VGE=20V
15V
12V
10V
8V
0
50
100
150
200
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V
15V
12V
10V
8V
0
50
100
150
200
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Tj=125
℃
Tj=25
℃
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
C
Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]
Ic=150A
Ic=75A
Ic= 37.5A
0.1
1.0
10.0
100.0
0
10
20
30
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
400
C
G
Gate charge : Qg [ nC ]
0
VGE
VCE
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PDF描述
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參數(shù)描述
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