參數(shù)資料
型號(hào)： 6MBI75U4B-120
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 13IGBT MODULE
中文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-35
文件頁(yè)數(shù)： 10/13頁(yè)
文件大?。?/td> 478K
代理商： 6MBI75U4B-120
H04-004-03a
MS5F6014
13
10
Switching loss vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=9.1
Ω
Vcc=600V, Ic=75A, VGE=±15V,
Switching time vs. Gate resistance (typ.)
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=9.1
Ω
, Tj=25
o
C
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=9.1
Ω
, Tj=125
o
C
Tj=25
o
C
+VGE=15V, -VGE <= 15V, RG >= 9.1
Ω
,
Switching loss vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=600V, Ic=75A, VGE=±15V, Tj=125
o
C
Reverse bias safe operating area (max.)
Tj <= 125
o
C
10
100
1000
10000
0
50
100
150
Collector current : Ic [ A ]
ton
tr
toff
tf
S
10
100
1000
10000
0
50
100
150
Collector current : Ic [ A ]
tf
tr
toff
ton
S
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
Gate resistance : RG [
Ω
]
toff
tr
ton
S
tf
0
3
6
9
12
15
0
25
50
Collector current : Ic [ A ]
75
100
125
150
Eoff(125
o
C)
S
Eon(125
o
C)
Eoff(25
o
C)
Eon(25
o
C)
Err(125
o
C)
Err(25
o
C)
0
10
20
30
1
10
100
1000
Gate resistance : RG [
Ω
]
S
Eon
Eoff
Err
0
50
100
150
200
0
400
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
800
1200
1600
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
6MBI75UB-120 IGBT Module
6MBI75F-060 IGBT(600V 75A)
6MBI75L-060 IGBT(600V/75A)
6MBI75S-120 IGBT(1200V/75A)
6MBI75S-140 IGBT Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
6MBI75U4B-120-50 制造商:Fuji Electric 功能描述:6-PACK IGBT MODULE 75A 1200V
6MBI75UA-120 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:IGBTs
6MBI75UB-120 制造商:FUJI 制造商全稱(chēng):Fuji Electric 功能描述:IGBT Module
6MBI75UC-120 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:6 PACK IGBT
6MBI75VA-060-50 制造商:FUJI 制造商全稱(chēng):Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE
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