- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄366257 > 6MBI75UB-120 (FUJI ELECTRIC CO LTD) IGBT Module PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 6MBI75UB-120 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | M633, 35 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 9/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 448K |
| 代理商： | 6MBI75UB-120 |
H04-004-03
13
MS5F 5497
9
Vcc=600V
，
Ic=75A
，
Tj= 25
℃
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25
℃
Dynamic Gate charge (typ.)
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 25
℃
/ chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 125
℃
/ chip
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
Tj=25
C / chip
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
0
50
100
150
200
0
1
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
2
3
4
5
C
VGE=20V
15V
12V
10V
8V
0
50
100
150
200
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V
15V
12V
10V
8V
0
50
100
150
200
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Tj=125
℃
Tj=25
℃
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
C
Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]
Ic=150A
Ic=75A
Ic= 37.5A
0.1
1.0
10.0
100.0
0
10
20
30
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
400
C
G
Gate charge : Qg [ nC ]
0
VGE
VCE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 6MBI75F-060 | IGBT(600V 75A) |
| 6MBI75L-060 | IGBT(600V/75A) |
| 6MBI75S-120 | IGBT(1200V/75A) |
| 6MBI75S-140 | IGBT Module |
| 6MBP100RA120 | IGBT(1200V/100A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 6MBI75UC-120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:6 PACK IGBT |
| 6MBI75VA-060-50 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
| 6MBI75VA-120-50 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
| 6MBI75VW-060-50 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
| 6MBI75VW-120-50 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。