參數(shù)資料
型號： 74HCT1G14GV,125
廠商： NXP Semiconductors
文件頁數(shù)： 12/16頁
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描述： IC INV SCHMITT TRIGGER SOT753
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Logic Packages
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
系列： 74HCT
邏輯類型： 逆變器，緩沖器
電路數(shù)： 1
輸入數(shù)： 1
特點(diǎn)： 施密特觸發(fā)器
電源電壓： 4.5 V ~ 5.5 V
電流 - 靜態(tài)（最大值）： 20µA
輸出電流高，低： 2mA，2mA
邏輯電平 - 低： 0.5 V ~ 0.6 V
邏輯電平 - 高： 1.9 V ~ 2.1 V
額定電壓和最大 CL 時的最大傳播延遲： 51ns @ 5V，50pF
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 5-TSOP
封裝/外殼： SC-74A，SOT-753
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱： 568-7748-6
74HC_HCT1G14
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Product data sheet
Rev. 6 — 27 December 2012
5 of 16
NXP Semiconductors
74HC1G14; 74HCT1G14
Inverting Schmitt trigger
12. Dynamic characteristics
[1]
tpd is the same as tPLH and tPHL.
[2]
CPD is used to determine the dynamic power dissipation PD (W).
PD =CPD VCC2 fi + (CL VCC2 fo)where:
fi = input frequency in MHz; fo = output frequency in MHz
CL = output load capacitance in pF; VCC = supply voltage in Volts
(C
L VCC
2
f
o) = sum of outputs
ICC
supply current
VI =VCC or GND; IO =0A;
VCC =5.5 V
--
10
-
20
A
I
CC
additional supply
current
per input; VCC = 4.5 V to 5.5 V;
VI = VCC 2.1 V; IO =0A
-
500
-
850
A
CI
input capacitance
-
1.5
-
pF
VT+
positive-going
threshold voltage
VCC = 4.5 V
1.2
1.55
1.9
1.2
1.9
V
VCC = 5.5 V
1.4
1.80
2.1
1.4
2.1
V
VT
negative-going
threshold voltage
VCC = 4.5 V
0.5
0.76
1.2
0.5
1.2
V
VCC = 5.5 V
0.6
0.90
1.4
0.6
1.4
V
VH
hysteresis voltage
VCC = 4.5 V
0.4
0.80
-
0.4
-
V
VCC = 5.5 V
0.4
0.90
-
0.4
-
V
Table 7.
Static characteristics …continued
Voltages are referenced to GND (ground = 0 V). All typical values are measured at Tamb =25 C.
Symbol
Parameter
Conditions
40 C to +85 C
40 C to +125 C
Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
Table 8.
Dynamic characteristics
GND = 0 V; tr = tf 6.0 ns; All typical values are measured at Tamb =25 C. For test circuit see Figure 6
Symbol Parameter
Conditions
40 C to +85 C
40 C to +125 C Unit
Min
Typ
Max
Min
Max
For type 74HC1G14
tpd
propagation delay A to Y; see Figure 5
VCC = 2.0 V; CL = 50 pF
-
25
155
-
190
ns
VCC = 4.5 V; CL =50pF
-
12
31
-
38
ns
VCC = 5.0 V; CL =15pF
-
10
-
ns
VCC = 6.0 V; CL =50pF
-
11
26
-
32
ns
CPD
power dissipation
capacitance
VI =GND to VCC
-20-
-
pF
For type 74HCT1G14
tpd
propagation delay A to Y; see Figure 5
VCC = 4.5 V; CL =50pF
-
17
43
-
51
ns
VCC = 5.0 V; CL =15pF
-
15
-
ns
CPD
power dissipation
capacitance
VI =GND to VCC 1.5 V
-22-
-
pF
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74HCT1G14GW,165 功能描述:變換器 INVERTING SCHMITT RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
74HCT1G14GW 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:74HCT SINGLE GATE SMD 74HCT1G14
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