參數(shù)資料
型號： 74LVC374APW,118
廠商： NXP Semiconductors
文件頁數(shù)： 15/19頁
文件大小： 0K
描述： IC OCT D FF POS-EDG TRIG 20TSSOP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Logic Packages
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 2,500
系列： 74LVC
功能： 標(biāo)準(zhǔn)
類型： D 型總線
輸出類型： 三態(tài)非反相
元件數(shù)： 1
每個元件的位元數(shù)： 8
頻率 - 時鐘： 80MHz
延遲時間 - 傳輸： 1.5ns
觸發(fā)器類型： 正邊沿
輸出電流高，低： 24mA，24mA
電源電壓： 1.2 V ~ 3.6 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
包裝： 帶卷 (TR)
74LVC374A
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NXP B.V. 2012. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 3 — 6 December 2012
5 of 19
NXP Semiconductors
74LVC374A
Octal D-type flip-flop; 5 V tolerant inputs/outputs; positive-edge trigger; 3-state
6.
Functional description
[1]
H = HIGH voltage level
h = HIGH voltage level one set-up time prior to the LOW-to-HIGH CP transition
L = LOW voltage level
l = LOW voltage level one set-up time prior to the LOW-to-HIGH CP transition
Z = high-impedance OFF-state
= LOW-to-HIGH clock transition
7.
Limiting values
[1]
The minimum input voltage ratings may be exceeded if the input current ratings are observed.
[2]
The output voltage ratings may be exceeded if the output current ratings are observed.
[3]
For SO20 packages: above 70
C the value of P
tot derates linearly with 8 mW/K.
For SSOP20 and TSSOP20 packages: above 60
C the value of P
tot derates linearly with 5.5 mW/K.
For DHVQFN20 packages: above 60
C the value of P
tot derates linearly with 4.5 mW/K.
Table 3.
Function table[1]
Operating mode
Input
Internal flip-flop Output
OE
CP
Dn
Qn
Load and read register
L
lL
L
hH
H
Load register and disable
outputs
H
lL
Z
H
hH
Z
Table 4.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Voltages are referenced to GND (ground = 0 V).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VCC
supply voltage
0.5
+6.5
V
IIK
input clamping current
VI <0 V
50
-
mA
VI
input voltage
0.5
+6.5
V
IOK
output clamping current
VO >VCC or VO <0 V
-
50
mA
VO
output voltage
output HIGH or LOW state
0.5
VCC +0.5
V
output 3-state
0.5
+6.5
V
IO
output current
VO =0V to VCC
-
50
mA
ICC
supply current
-
100
mA
IGND
ground current
100
-
mA
Tstg
storage temperature
65
+150
C
Ptot
total power dissipation
Tamb = 40 C to +125 C
-500
mW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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