參數(shù)資料
型號(hào)： 75GAL120DN2
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 66K
代理商： 75GAL120DN2
4
Nov-24-1997
BSM 75 GAL 120 DN2
Electrical Characteristics
, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Chopper Diode
Chopper diode forward voltage
I
FC
= 100 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
I
FC
= 100 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
Reverse recovery time, chopper
I
FC
= 100 A,
V
R
= -600 V,
V
GE
= 0 V
d
i
F
/
dt
= -1000 A/μs,
T
j
= 125 °C
Reverse recovery charge, chopper
I
FC
= 100 A,
V
R
= -600 V,
V
GE
= 0 V
d
i
F
/
dt
= -1000 A/μs
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
V
FC
-
-
1.8
2
-
2.5
V
t
rrC
-
0.125
-
μs
Q
rrC
-
-
14
4
-
-
μC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
75GB120DN2 IGBT Module
75GB170DN2 IGBT Module
75GD120DN2 IGBT Module
75GD170DL IGBT Module
75LQ150 HIGH PSRR 150 MA LDO, VIN 10V MAX, VOUT = 6.0V, -40C to +85C, 5-SOT-23, T/R
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
75GAQ10 制造商:Sprague/Vishay 功能描述:CD010X07500 SPRAGUE 7.5KV S4CXA
75GAQ47 制造商:Sprague/Vishay 功能描述:CD247X7.5k 4700pf 7500 volts
75GAT10 功能描述:瓷片電容器 7500V 20% 100pF RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數(shù) DF: 端接類型:Radial 產(chǎn)品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors
75GAT47 功能描述:瓷片電容器 7500V 20% 470pF RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數(shù) DF: 端接類型:Radial 產(chǎn)品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors
75GAT75 制造商:Sprague/Vishay 功能描述:CD175X07500 7.5KV S4CXA
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