參數資料
型號： 7MBP75RTJ-060
英文描述： MCU CMOS 14LD 1K EPRM, -40C to +85C, 14-PDIP, TUBE
中文描述： IGBT的
文件頁數： 6/7頁
文件大?。?/td> 328K
代理商： 7MBP75RTJ-060
7MBP 75RA-120
IGBT IPM
1200V
6x75A+Chopper
I
Inverter
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-2
10
-1
10
0
IGBT
FWD
Transient Thermal Resistance
T
t
Pulse Width : P
W
[sec]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
150
300
450
600
750
900
1050
RBSOA
(repetitive pulse)
SCSOA
(non-repetitive pulse)
Reverse Biased Safe Operating Area
V
CC
=15V, T
j
<125°C
C
C
Collector-Emitter Voltage : V
CE
[V]
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
100
200
300
400
500
600
Power Derating For IGBT
(per device)
C
C
Case Temperature : T
C
(°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
50
100
150
200
Power Derating For FWD
(per device)
C
C
Case Temperature : T
C
(°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
0
5
10
15
20
25
30
35
E
rr
E
off
E
on
Switching Loss vs. Collector Current
V
DC
=600V, V
CC
=15V, T
j
=25°C
S
o
,
o
,
r
Collector Current : I
C
[A]
0
20
40
60
80
100
120
140
0
5
10
15
20
25
30
35
E
rr
E
off
E
on
Switching Loss vs. Collector Current
V
DC
=300V, V
CC
=15V, T
j
=125°C
S
o
,
o
,
r
相關PDF資料
PDF描述
7MBP75TEA-060 MCU CMOS 14LD 1K 20MHz, 0C to +70C, 14-PDIP, TUBE
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