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參數(shù)資料
| 型號： | 7MBR15NE-120 |
| 英文描述： | MCU CMOS 20LD .5K 20MHz, 0C to +70C, 20-SSOP 208mil, TUBE |
| 中文描述： | IGBT的7個人信息管理 |
| 文件頁數(shù)： | 10/15頁 |
| 文件大小： | 833K |
| 代理商： | 7MBR15NE-120 |
H04-004-03a
15
MS6M 0802
a
10
Vcc=300V
，
Ic=100A
，
Tj= 25°C
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Dynamic Gate charge (typ.)
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 25°C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
Tj=25°C / chip
[ Inverter ]
[ Inverter ]
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
[ Inverter ]
[ Inverter ]
[ Inverter ]
[ Inverter ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 125°C / chip
0
50
100
150
200
250
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V 15V 12V
10
8V
0
50
100
150
200
250
0
1
2
3
4
5
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V 15V 12V
10V
8V
0
50
100
150
200
250
0
1
2
3
4
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Tj=125°C
Tj=25°C
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
C
Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]
Ic=200A
Ic=100A
Ic= 50A
0.10
1.00
10.00
100.00
0
10
20
30
C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
400
500
0
100
200
300
400
500
0
5
10
15
20
25
C
Gate charge : Qg [ nC ]
VGE
VCE
G
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 7MBR15NF-120 | MCU CMOS 18LD .5K 20MHz, -40C to +85C, 18-SOIC 300mil, TUBE |
| 7MBR15SA-120 | MCU CMOS 20LD LOW PWR, 0C to +70C, 20-SSOP 208mil, TUBE |
| 7MBR15SA-140 | MCU CMOS 18LD LOW PWR, -40C to +85C, 18-SOIC 300mil, TUBE |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 7MBR15NF120 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:1200V/15A/PIM |
| 7MBR15NF-120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:7 PIM IGBT |
| 7MBR15PE120 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT Module(Power Integrated Module) |
| 7MBR15SA060D-01 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT Module |
| 7MBR15SA120 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT(1200V/15A/PIM) |
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