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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 7MBR30NE-060 |
| 英文描述： | MCU CMOS 18LD .5K EPRM, -40C to +125C, 18-PDIP, TUBE |
| 中文描述： | IGBT的7個(gè)人信息管理 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 325K |
| 代理商： | 7MBR30NE-060 |
IGBT Module
7MBR30NE060
Characteristics (Representative)
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
Tj=25°C
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
Tj=125°C
Collector-Emitter vs. Gate-Emitter voltage
Tj=25°C
Collector-Emitter vs. Gate-Emitter voltage
Tj=125°C
Switching time vs. Collector current
Vcc=300V, RG=82 ohm, VGE=±15V, Tj=25°C
Switching time vs. Collector current
Vcc=300V, RG=82 ohm, VGE=±15V, Tj=125°C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
C
50
40
30
20
10
0
0
0 1 2 3 4 5
0 1 2 3 4 5
C
C
10
8
6
4
2
0
0 5 10 15 20 25
0 5 10 15 20 25
10
8
6
4
2
0
Gate-Emitter voltage : VGE [V]
Gate-Emitter voltage : VGE [V]
S
1000
100
10
0 10 20 30 40 50
Collector current : Ic [A]
Collector current : Ic [A]
S
1000
100
10
60
70
50
40
30
20
10
60
70
0 10 20 30 40 50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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