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參數資料
| 型號： | 7MBR35UA-120 |
| 英文描述： | MCU CMOS 20LD .5K 20MHz, -40C to +85C, 20-SSOP 208mil, TUBE |
| 中文描述： | IGBT的 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 325K |
| 代理商： | 7MBR35UA-120 |
IGBT Module
7MBR30NE060
Switching time vs. RG
Vcc=300V, Ic=30A, VGE=±15V, Tj=25°C
Dynamic input characteristics
Tj=25°C
Gate resistance : RG [ohm]
100
Gate charge : Qg [nC]
0 50 100 150
100
1000
500
400
300
200
100
0
S
C
F
50
40
30
20
10
0
0 1 2 3 4 5
G
0
5
15
20
25
Forward voltage : VF [V]
R
R
Forward current vs. Forward voltage
VGE=0V
Reverse recovery characteristics
trr, Irr, vs. IF
Forward current : IF [A]
10
100
1
T
Transient thermal resistance
0.1
1
0.001 0.01 0.1 1
Pulse width : PW [sec.]
Reversed biased safe operating area
+VGE=15V, -VGE<
0 10 20 30 40 50
<
>
250
200
150
100
50
0
0 100 200 300 400 500 600
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
10
10
10
60
70
300
FWD
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 7MBR50NE060 | MCU CMOS 18LD .5K EPRM, -40C to +85C, 18-SOIC 300mil, T/R |
| 7MBR50NF-060 | MCU CMOS 20LD LOW PWR, 0C to +70C, 20-SSOP 208mil, TUBE |
| 7MBR50SB-060 | MCU CMOS 20LD LOW PWR, -40C to +85C, 20-SSOP 208mil, T/R |
| 7MBR50SB-140 | MCU CMOS 18LD LOW VOLT, -40C to +85C, 18-SOIC 300mil, TUBE |
| 7MBR50SD-120 | MCU CMOS 20LD LOW VOLT, -40C to +85C, 20-SSOP 208mil, T/R |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 7MBR35UA-120-50 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:IGBT 7 PACK MOD 1200V 35A M711 |
| 7MBR35UB120 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE (U series) 1200V / 35A / PIM |
| 7MBR35VM120-50 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
| 7MBR35VP120-50 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
| 7MBR35VW120-50 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT MODULE |
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