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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 7MBR50NE060 |
| 英文描述： | MCU CMOS 18LD .5K EPRM, -40C to +85C, 18-SOIC 300mil, T/R |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大小： | 159K |
| 代理商： | 7MBR50NE060 |
IGBT Module
7MBR50NE060
Switching time vs. RG
Vcc=300V, Ic=50A, VGE=±15V, Tj=25°C
Dynamic input characteristics
Tj=25°C
Gate resistance : RG [ohm]
100
Gate charge : Qg [nC]
0 50 100 150 200 250 300
100
1000
500
400
300
200
100
0
S
C
F
125
100
75
50
25
0
0 1 2 3 4
G
0
5
15
20
25
Forward voltage : VF [V]
R
R
Forward current vs. Forward voltage
VGE=0V
Reverse recovery characteristics
trr, Irr, vs. IF
Forward current : IF [A]
10
100
T
Transient thermal resistance
0.1
1
0.001 0.01 0.1 1
Pulse width : PW [sec.]
Reversed biased safe operating area
+VGE=15V, -VGE<
0 20 40 60 80 100
<
>
500
400
300
200
100
0
0 100 200 300 400 500 600
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
10
10
10
FWD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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