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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 7MBR50SB-140 |
| 英文描述： | MCU CMOS 18LD LOW VOLT, -40C to +85C, 18-SOIC 300mil, TUBE |
| 中文描述： | IGBT的 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 159K |
| 代理商： | 7MBR50SB-140 |
IGBT Module
7MBR50NE060
Characteristics (Representative)
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
Tj=25°C
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
Tj=125°C
Collector-Emitter vs. Gate-Emitter voltage
Tj=25°C
Collector-Emitter vs. Gate-Emitter voltage
Tj=125°C
Switching time vs. Collector current
Vcc=300V, RG=51 ohm, VGE=±15V, Tj=25°C
Switching time vs. Collector current
Vcc=300V, RG=51 ohm, VGE=±15V, Tj=125°C
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
C
125
100
75
50
25
0
0
0 1 2 3 4 5
0 1 2 3 4 5
C
C
10
8
6
4
2
0
0 5 10 15 20 25
0 5 10 15 20 25
10
8
6
4
2
0
Gate-Emitter voltage : VGE [V]
Gate-Emitter voltage : VGE [V]
S
1000
100
10
0 20 40 60 80
Collector current : Ic [A]
Collector current : Ic [A]
S
1000
100
10
125
100
75
50
25
0 20 40 60 80
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 7MBR50SD-120 | MCU CMOS 20LD LOW VOLT, -40C to +85C, 20-SSOP 208mil, T/R |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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