參數(shù)資料
型號(hào)： 7P096ATA2003C25
英文描述： Flash Memory Card(96M位閃速存儲(chǔ)器卡)
中文描述： 閃存卡（9600位閃速存儲(chǔ)器卡）
文件頁數(shù)： 47/66頁
文件大?。?/td> 585K
代理商： 7P096ATA2003C25
7PxxxATA20xxC25
June 2000 Rev. 5 – ECO #12935
47
White Electronic Designs Corporation
(508) 366-5151
DC Characteristics-3
(Ta = 0 to +60
°
C, V
CC
= 5.0 V ± 10%)
(Industrial Ta = -40 to +85
°
C, V
CC
= 5.0 V ± 10%)
8MB/16MB
32MB/48MB
96MB
MB/150MB
64MB/80MB
112MB/128
Parameter
Symbol
Typ Max
Typ Max
Typ Max
Unit
Test conditions
Sleep/standby
current
I
SP1
0.5
1.0
0.7
1.5
1.0
2.0
mA
CMOS level (control signal =
V
CC
– 0.2 V in Memory Card
Mode and I/O Card Mode)
Sector read
current
I
CCR
(DC)
40
75
40
75
40
75
mA
I
CCR
(Peak)
80
120
80
120
80
120
CMOS level (control signal =
V
CC
– 0.2 V) during sector read
transfer
Sector write
current
I
CCW
(DC)
45
75
45
75
45
75
mA
I
CCW
(Peak) 80
120
80
120
80
120
CMOS level (control signal =
V
CC
– 0.2 V) during sector write
transfer
DC Characteristics-4
(Ta = 0 to +60
°
C, V
CC
= 3.3 V ± 5%)
(Ta = -40 to +85
°
C, V
CC
= 3.3 V ± 5%)
8MB/16MB
32MB/48MB
64MB/80MB
96MB
112MB/128
MB/160MB
Parameter
Symbol
Typ Max
Typ Max
Typ Max
Unit
Test conditions
Sleep/standby
current
I
SP1
0.3
0.6
0.4
0.8
0.5
1.0
mA
CMOS level (control signal =
V
CC
– 0.2 V in Memory Card
Mode and I/O Card Mode)
Sector read
current
I
CCR
(DC)
25
50
25
50
25
50
mA
I
CCR
(Peak)
50
80
50
80
50
80
CMOS level (control signal =
V
CC
– 0.2 V) during sector read
transfer
Sector write
current
I
CCW
(DC)
25
50
25
50
25
50
mA
I
CCW
(Peak) 50
80
50
80
50
80
CMOS level (control signal =
V
CC
– 0.2 V) during sector write
transfer
相關(guān)PDF資料
PDF描述
7P112ATA2003C25 Flash Memory Card(112M位閃速存儲(chǔ)器卡)
7P128ATA2003C25 Flash Memory Card(128M位閃速存儲(chǔ)器卡)
7P160ATA2003C25 Flash Memory Card(160M位閃速存儲(chǔ)器卡)
7P128 IDE 1511C25 2.5 Flash IDE Drives(2.5閃速存儲(chǔ)器IDE器件（128MB）)
7P064 IDE 1511C25 2.5 Flash IDE Drives(2.5閃速存儲(chǔ)器IDE器件（64MB）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
7P-10.000MBP-T 功能描述:OSC TCXO 10.000MHZ CMOS SMD 制造商:txc corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
7P102V330A052 制造商:CDE 制造商全稱:Cornell Dubilier Electronics 功能描述:Type 7P 55 ∑C Photoflash, High-Energy, Long Life, Aluminum
7P102V330N042 制造商:CDE 制造商全稱:Cornell Dubilier Electronics 功能描述:Type 7P 55 ∑C Photoflash, High-Energy, Long Life, Aluminum
7P102V360A052 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器-管理單元 1000uF 360V PHOTO RoHS:否 制造商:Nichicon 電容:470 uF 容差:20 % 電壓額定值:450 V ESR: 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 系列:AR 直徑:35 mm 長度:45 mm 引線間隔:10 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors
7P122V330A052 制造商:CDE 制造商全稱:Cornell Dubilier Electronics 功能描述:Type 7P 55 ∑C Photoflash, High-Energy, Long Life, Aluminum
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