- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360550 > 7S (NXP Semiconductors N.V.) PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 7S |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW |
| 中文描述： | 進(jìn)步黨500個(gè)，50 V電阻毫安裝備晶體管R1 \u003d 2.2千瓦，R2的\u003d 2.2千瓦 |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商： | 7S |
9397 750 14904
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 27 April 2005
5 of 10
Philips Semiconductors
PDTB123E series
PNP 500 mA resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k
, R2 = 2.2 k
V
CE
=
5 V
(1) T
amb
= 100
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
40
°
C
Fig 1.
DC current gain as a function of collector
current; typical values
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 100
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
40
°
C
Fig 2.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
V
CE
=
0.3 V
(1) T
amb
=
40
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 100
°
C
Fig 3.
On-state input voltage as a function of collector
current; typical values
V
CE
=
5 V
(1) T
amb
=
40
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 100
°
C
Fig 4.
Off-state input voltage as a function of collector
current; typical values
006aaa353
1
10
10
2
10
3
h
FE
10
1
I
C
(mA)
10
1
10
3
10
2
1
10
(1)
(2)
(3)
006aaa354
I
C
(mA)
1
10
2
10
10
1
V
CEsat
(V)
10
2
(1)
(2)
(3)
006aaa355
I
C
(mA)
10
1
10
3
10
2
1
10
1
10
V
I(on)
(V)
10
1
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
10
1
10
1
006aaa356
1
10
V
I(off)
(V)
10
1
(1)
(2)
(3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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