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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 934055568112 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 放大器 |
| 英文描述： | 40 MHz - 860 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| 封裝： | SOT-115J, 7 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/12頁(yè) |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 934055568112 |
2001 Nov 01
8
Philips Semiconductors
Product specication
860 MHz, 20 dB gain power doubler amplier
BGD904L
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A2
max.
c
ee1
q
Q
max.
q1
q2
U1
max.
U2
W
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
20.8
9.1
0.51
0.38
0.25 27.2 2.54 13.75 2.54 5.08 12.7
8.8
4.15
3.85
2.4
38.1 25.4 10.2
4.2 44.75
8
0.25
0.1
3.8
bF
p
6-32
UNC
y
w
S
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT115J
0
5
10 mm
scale
A
max.
D
max.
L
min.
E
max.
Z
max.
Rectangular single-ended package; aluminium flange; 2 vertical mounting holes;
2 x 6-32 UNC and 2 extra horizontal mounting holes; 7 gold-plated in-line leads
SOT115J
D
U1
q
q2
q1
b
F
S
A
Z
p
E
A2
L
c
d
Q
U2
M
w
78
9
23
W
e
e1
5
p
1
d
max.
y M B
B
99-02-06
y M B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 934055701118 | SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO16 |
| 934055701115 | SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO16 |
| 934055731215 | 0.2 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| 934055732215 | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| 934055714215 | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 934055762127 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
| 934055788118 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| 934056255127 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
| 934056947115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
| 934056954118 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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