參數(shù)資料
型號(hào)： 934055718127
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： 35 A, 200 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 12/14頁(yè)
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代理商： 934055718127
August 1999
7
Rev 1.000
Philips Semiconductors
Product specication
PSMN070-200B; PSMN070-200P
N-channel TrenchMOS(TM) transistor
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS = f(QG)
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F = f(VSDS); conditions: VGS = 0 V; parameter Tj
Fig.15. Maximum permissible non-repetitive
avalanche current (I
AS) versus avalanche time (tAV);
unclamped inductive load
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
1020
3040506070
8090
100
Gate charge, QG (nC)
Gate-source voltage, VGS (V)
ID = 35 A
Tj = 25 C
VDD = 40 V
VDD = 160 V
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
Avalanche time, tAV (ms)
Maximum Avalanche Current, IAS (A)
Tj prior to avalanche = 150 C
25 C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
Source-Drain Voltage, VSDS (V)
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
175 C
VGS = 0 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
05WS15 Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:11; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Socket; Insert Arrangement:18-11
934055724127 23 A, 150 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
934055725118 23 A, 150 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
934055726118 12.5 A, 150 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
934055727127 12.5 A, 150 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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參數(shù)描述
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