參數(shù)資料
型號(hào)： 934055719118
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： 35 A, 200 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 9/14頁
文件大?。?/td> 164K
代理商： 934055719118
August 1999
4
Rev 1.000
Philips Semiconductors
Product specication
PSMN070-200B; PSMN070-200P
N-channel TrenchMOS(TM) transistor
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j = 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP. MAX. UNIT
I
S
Continuous source current
-
35
A
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
-
140
A
diode)
V
SD
Diode forward voltage
I
F = 25 A; VGS = 0 V
-
0.85
1.2
V
t
rr
Reverse recovery time
I
F = 20 A; -dIF/dt = 100 A/s;
-
160
-
ns
Q
rr
Reverse recovery charge
V
GS = 0 V; VR = 30 V
-
1.0
-
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
934055718127 35 A, 200 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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934055724127 23 A, 150 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
934055725118 23 A, 150 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
934055726118 12.5 A, 150 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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