參數(shù)資料
型號(hào)： 935203210118
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 總線收發(fā)器
英文描述： ABT SERIES, 16 1-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, PDSO56
封裝： 6.10 MM, PLASTIC, MO-153, SOT-364-1, TSSOP2-56
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 107K
代理商： 935203210118
Philips Semiconductors
Si9410DY
N-channel enhancement mode eld-effect transistor
Product data
Rev. 02 — 05 July 2001
2 of 13
9397 750 08238
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
5.
Quick reference data
6.
Limiting values
Table 2:
Quick reference data
Symbol Parameter
Conditions
Typ
Max
Unit
VDS
drain-source voltage (DC)
Tj =25to150 °C
30
V
ID
drain current (DC)
Tamb =25 °C; pulsed: tp ≤ 10 s
7A
Ptot
total power dissipation
Tamb =25 °C; pulsed: tp ≤ 10 s
2.5
W
Tj
junction temperature
150
°C
RDSon
drain-source on-state resistance
VGS = 10 V; ID = 7 A
2430m
VGS =5V; ID = 4 A
30
40
m
VGS = 4.5 V; ID = 3.5 A
3250m
Table 3:
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VDS
drain-source voltage (DC)
Tj =25to150 °C
30
V
VGS
gate-source voltage (DC)
±20
V
ID
drain current (DC)
Tamb =25 °C; pulsed: tp ≤ 10 s; Figure 2 and 3
7A
Tamb =70 °C; pulsed: tp ≤ 10 s; Figure 2
5.8
A
IDM
peak drain current
Tamb =25 °C; pulsed; tp ≤ 10 s; Figure 3
30
A
Ptot
total power dissipation
Tamb =25 °C; pulsed: tp ≤ 10 s; Figure 1
2.5
W
Tamb =70 °C; pulsed: tp ≤ 10 s; Figure 1
1.6
W
Tstg
storage temperature
55
+150
°C
Tj
operating junction temperature
55
+150
°C
Source-drain diode
IS
source (diode forward) current (DC)
Tamb =25 °C; pulsed: tp ≤ 10 s
2.3
A
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PDF描述
935173420112 ABT SERIES, 16 1-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, PDSO56
935173420118 ABT SERIES, 16 1-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, PDSO56
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9352370001 功能描述:HEAT SHRINK SLEEVE RoHS:是 類別:線纜，導(dǎo)線 - 管理 >> 標(biāo)簽，標(biāo)記 系列:HT-SCE 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:CM-SCE 標(biāo)簽類型:標(biāo)準(zhǔn) 標(biāo)簽尺寸:2.00" x 0.25"（50.8mm x 6.4mm） 顏色:白 材質(zhì):聚烯烴 適用于相關(guān)產(chǎn)品:點(diǎn)陣打印機(jī) 包裝:* 工作溫度:-55°C ~ 135°C 其它名稱:A105291CM-SCE-TP-1/4-4H-9
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