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AOB27S60

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  • 說明
  • 操作
  • AOB27S60
    AOB27S60

    AOB27S60

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • A

  • TO-263

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • AOB27S60
    AOB27S60

    AOB27S60

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • AOS

  • TO-263

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • AOB27S60
    AOB27S60

    AOB27S60

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 200000

  • YXYBDT臺灣

  • TO-263

  • 2024+

  • -
  • 代理臺灣YXYBDT.現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共39條 
  • 1
AOB27S60 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • AOSMD
  • 制造商全稱
  • Alpha & Omega Semiconductors
  • 功能描述
  • 600V 27A a MOS Power Transistor
AOB27S60 技術參數
  • AOB270L 功能描述:MOSFET N-CH 75V 140A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):21.5A(Ta),140A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.3 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):215nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10350pF @ 37.5V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:1 AOB270AL 功能描述:MOSFET N-CH 75V 21.5A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):21.5A(Ta),140A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.4 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):206nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10830pF @ 37.5V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:800 AOB266L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 18A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):18A(Ta),140A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6800pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:1 AOB264L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 19A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):19A(Ta),140A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):94nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):8400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:1 AOB262L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20A(Ta),140A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):115nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9800pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標準包裝:1 AOB2918L AOB292L AOB296L AOB298L AOB29S50L AOB409L AOB411L AOB411L_001 AOB412L AOB414 AOB414_001 AOB416 AOB418 AOB4184 AOB42S60L AOB440 AOB442 AOB462L
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