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AON6160

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AON6160 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
AlphaSGT?
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
100A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
120nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
7790pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
215W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
1.58 毫歐 @ 20A, 10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
8-DFN（5x6）
封裝/外殼
8-PowerSMD，扁平引線
標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000

AON6160 技術(shù)參數(shù)

AON6156 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 45V 100A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:70nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3975pF @ 22.5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:78W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6154 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 45V 100A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:120nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6575pF @ 22.5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6152 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 45V 100A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:125nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:8900pF @ 22.5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:208W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.15 毫歐 @ 20A, 10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6144 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:70nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3780pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:78W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON5820_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.5 毫歐 @ 10A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1510pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線裸焊盤供應(yīng)商器件封裝:6-DFN（2x5）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6230 AON6232 AON6232A AON6234 AON6236 AON6240 AON6242 AON6244 AON6246 AON6248 AON6250 AON6260 AON6262E AON6264E AON6266 AON6266_101 AON6266E AON6268