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AON6162

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AON6162 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • AlphaSGT?
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 100A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 6V,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 100nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 4850pF @ 30V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 215W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 2.1 毫歐 @ 20A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-DFN(5x6)
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerSMD,扁平引線
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 3,000
AON6162 技術(shù)參數(shù)
  • AON6160 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):120nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):7790pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):215W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.58 毫歐 @ 20A, 10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6156 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 45V 100A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):45V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):70nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):3975pF @ 22.5V FET 功能:- 功率耗散(最大值):78W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6154 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 45V 100A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):45V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):120nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):6575pF @ 22.5V FET 功能:- 功率耗散(最大值):125W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.5 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6152 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 45V 100A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):45V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):125nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):8900pF @ 22.5V FET 功能:- 功率耗散(最大值):208W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.15 毫歐 @ 20A, 10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6144 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):70nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):3780pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):78W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.4 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6232 AON6232A AON6234 AON6236 AON6240 AON6242 AON6244 AON6246 AON6248 AON6250 AON6260 AON6262E AON6264E AON6266 AON6266_101 AON6266E AON6268 AON6270
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