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AON6382

AON6382
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
15000
AOS
DFN
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

AON6382/IM1813
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
INGREY
PDFN5x6-8L
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

AON6382
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：2394575513590206539
地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室
38200
AOS
DFN
2022+
-
原裝正品，公司現(xiàn)貨庫存假一罰十，電話：0...

AON6382
深圳市華盛錦科技有限公司
深圳市華盛錦科技有限公司
聯(lián)系人：張先生/雷小姐
電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）
地址：華強街道賽格廣場55樓5566室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
36890
AOS
DFN5X6
21+原廠授權(quán)
-
★原廠授權(quán)★價超代理★

AON6382
深圳市華盛錦科技有限公司
深圳市華盛錦科技有限公司
聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）
地址：華強街道賽格廣場55樓5566室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
86000
AOS/萬代
DFN5x6-8LEP1
2020+
-
★★★真實庫存，假一賠十，原廠授權(quán)★★★

AON6382
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3783
AOS
DFN
2201+
-
十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

AON6382
東莞鼎岑科技有限公司
東莞鼎岑科技有限公司
聯(lián)系人：莫
電話：18925581989
地址：廣東省東莞市塘廈鎮(zhèn)林村大道445號北鉅業(yè)大夏319室
20000
AOS
DFN
-

AON6382
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯(lián)系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148
36000000
AOS
22+
-
原裝正品

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AON6382 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
85A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
65nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
3100pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
50W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
1.85 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
8-DFN（5x6）
封裝/外殼
8-PowerSMD，扁平引線
標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000

AON6382 技術(shù)參數(shù)

AON6380 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24V 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6372 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):最後搶購 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:47A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:830pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:26W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.2 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6370P 功能描述:MOSFET N-CH 30V 23A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態(tài):過期標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6370_002 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:23A（Ta），47A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:840pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），26W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.2 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6370_001 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8DFN 5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:23A（Ta），47A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:840pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），26W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.2 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6408L AON6410 AON6411 AON6411_001 AON6413 AON6414A AON6414AL AON6414G AON6416 AON6418 AON6424 AON6424A AON6426 AON6428_103 AON6428L AON6435 AON6442 AON6444