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AON6400L_002

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
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  • 1
AON6400L_002 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 過(guò)期
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 31A(Ta),85A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 1.4 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
  • 170nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
  • 8300pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 2.3W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerSMD,扁平引線
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-DFN(5x6)
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
AON6400L_002 技術(shù)參數(shù)
  • AON6400 功能描述:MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):31A(Ta),85A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.4 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):170nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):8300pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6384 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 83A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):83A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1330pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):36W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.3 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6382 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):85A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):65nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):3100pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):50W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.85 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6380 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24V 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6372 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):最後搶購(gòu) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):47A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):12.8nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):830pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):26W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.2 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6411_001 AON6413 AON6414A AON6414AL AON6414G AON6416 AON6418 AON6424 AON6424A AON6426 AON6428_103 AON6428L AON6435 AON6442 AON6444 AON6448 AON6450 AON6450L
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