AON7444L

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

AON7444L
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-82788062
地址：華強(qiáng)北都會(huì)軒4507
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
30000
AOS/萬代
DFN
24+
-
原裝正品，可含稅供應(yīng)。品質(zhì)保障

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： AON7446 AON7448 AON7448L AON7450 AON7450L AON7452 AON7452L AON7458 AON7460

AON7444L PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

AON7444L PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 60V 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
*
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000

AON7444L 技術(shù)參數(shù)

AON7444 功能描述:MOSFET N-CH 60V 33A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Ta），33A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2000pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7442 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:65nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2994pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:83W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.9 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（3.3x3.3）封裝/外殼:8-PowerWDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON7440 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2820pF @ 15V 功率 - 最大值:4.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON7436 功能描述:MOSFET N-CH 20V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Ta），23A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:630pF @ 10V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7432 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10.5A（Ta），18A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:813pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7462 AON7466 AON7474A AON7502 AON7506 AON7508 AON7510 AON7514 AON7516 AON7518 AON7520 AON7522E AON7524 AON7526 AON7528 AON7532E AON7534 AON7536