AON7448L

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功能描述
MOSFET N-CH 80V 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
*
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000

AON7448L 技術(shù)參數(shù)

AON7448 功能描述:MOSFET N-CH 80V 24A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7.1A（Ta），24A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 40V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7446 功能描述:MOSFET N-CH 60V 3.3A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.3A（Ta），8A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:145 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.3nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:285pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7444L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態(tài):停產(chǎn) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON7444 功能描述:MOSFET N-CH 60V 33A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Ta），33A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2000pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7442 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:65nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2994pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:83W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.9 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（3.3x3.3）封裝/外殼:8-PowerWDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON7502 AON7506 AON7508 AON7510 AON7514 AON7516 AON7518 AON7520 AON7522E AON7524 AON7526 AON7528 AON7532E AON7534 AON7536 AON7538 AON7544 AON7548