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AOY4158P

配單專家企業(yè)名單
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  • AOY4158P
    AOY4158P

    AOY4158P

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • AO

  • TO-251

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • AOY4158P
    AOY4158P

    AOY4158P

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 17500

  • AO/萬代

  • TO-251

  • 13+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • AOY4158P
    AOY4158P

    AOY4158P

  • 深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
    深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司

    聯(lián)系人:陳先生

    電話:0755-83228629

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人,可開正規(guī)13%專

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 59990

  • AO/萬代

  • TO-251A

  • 17+

  • -
  • 100%原裝,誠信為本,等你咨詢!

  • AOY4158P
    AOY4158P

    AOY4158P

  • 深圳市桂鵬科技有限公司
    深圳市桂鵬科技有限公司

    聯(lián)系人:田小姐/高先生/李小姐

    電話:0755-828102988281039882810298

    地址:深圳市羅湖區(qū)寶安南路國都大廈-國麗15D(地王大廈周邊)

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 82810298

  • AO/萬代

  • TO-251

  • 15+

  • -
  • 深圳現(xiàn)貨★原廠品質★提供PCB板配單業(yè)務

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
AOY4158P PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • *
  • 零件狀態(tài)
  • 過期
  • 標準包裝
  • 1
AOY4158P 技術參數(shù)
  • AOY2N60 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.7 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):295pF @ 25V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak 供應商器件封裝:TO-251 標準包裝:3,500 AOY2610E 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 19A TO251B 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):19A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1100pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):59.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.5 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-251B 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak 標準包裝:3,500 AOWF9N70 功能描述:MOSFET N-CH 700V 9A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):700V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1630pF @ 25V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:* 標準包裝:1,000 AOWF8N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):850 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1042pF @ 25V 功率 - 最大值:27.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:TO-262F 標準包裝:1,000 AOWF7S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):650 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):434pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:* 標準包裝:1,000 AOZ1016AI AOZ1016AIL AOZ1017AI AOZ1019AI AOZ1020AI AOZ1020AIL AOZ1021AI AOZ1021AIL AOZ1021HAIL_2 AOZ1022DI AOZ1022DI-01 AOZ1022PI AOZ1024DI AOZ1024DI_2 AOZ1024DI_5 AOZ1024DI_6 AOZ1024DI_7 AOZ1025DIL
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