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AOY423

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  • 功能描述
  • MOSFET P-CH
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 15A(Ta),70A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 6.7 毫歐 @ 20A,20V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
  • 65nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
  • 2760pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 2.5W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-251-3 短截引線,IPak
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-251B
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 3,500
AOY423 技術(shù)參數(shù)
  • AOY4158P 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態(tài):過(guò)期 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOY2N60 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.7 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):295pF @ 25V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak 供應(yīng)商器件封裝:TO-251 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,500 AOY2610E 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 19A TO251B 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):19A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1100pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):59.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):9.5 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-251B 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,500 AOWF9N70 功能描述:MOSFET N-CH 700V 9A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):700V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1630pF @ 25V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOWF8N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):850 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):28nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1042pF @ 25V 功率 - 最大值:27.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOZ1016AIL AOZ1017AI AOZ1019AI AOZ1020AI AOZ1020AIL AOZ1021AI AOZ1021AIL AOZ1021HAIL_2 AOZ1022DI AOZ1022DI-01 AOZ1022PI AOZ1024DI AOZ1024DI_2 AOZ1024DI_5 AOZ1024DI_6 AOZ1024DI_7 AOZ1025DIL AOZ1031AI
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