APT80SM120B

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

APT80SM120B
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-247
24+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

APT80SM120B
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3521
INFINEON
TO-247
2212+
-
十年專營(yíng)，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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功能描述
POWER MOSFET - SIC
制造商
microsemi corporation
系列
-
包裝
散裝
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
碳化硅（SiC）
漏源極電壓（Vdss）
1200V（1.2kV）
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
80A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
55 毫歐 @ 40A，20V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
235nC @ 20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
-
功率 - 最大值
625W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝
TO-247
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

APT80SM120B 技術(shù)參數(shù)

APT80M60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:84A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:600nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:24000pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT80GP60J 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 151A 462W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:151A 功率 - 最大值:462W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.7V @ 15V，80A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:9.84nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT80GA90LD40 功能描述:IGBT PT 900V 145A 625W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:145A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):239A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.1V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 開關(guān)能量:1652μJ（開），1389μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:200nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:18ns/149ns 測(cè)試條件:600V，47A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:25ns 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT80GA90B 功能描述:IGBT PT 900V 145A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:145A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):239A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.1V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 開關(guān)能量:1652μJ（開），1389μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:200nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:18ns/149ns 測(cè)試條件:600V，47A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT80GA60LD40 功能描述:IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:143A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，47A 功率 - 最大值:625W 開關(guān)能量:840μJ（開），751μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:230nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:23ns/158ns 測(cè)試條件:400V，47A，4.7 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:22ns 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT85GR120L APT8DQ60KCTG APT8M100B APT8M80K APT90DR160HJ APT94N60L2C3G APT94N65B2C3G APT94N65B2C6 APT95GR65B2 APT95GR65JDU60 APT97N65LC6 APT9F100B APT9M100B APTB1612ESGC-F01 APTB1612LQBDCGKC APTB1612LSURKCGKC APTB1612LSURKQBDC APTB1612LSURKSYKC