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APTGT75DA170D1G

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  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • APTGT75DA170D1G
    APTGT75DA170D1G

    APTGT75DA170D1G

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 170

  • APT

  • 75A/1700V/IGBT+DIODE

  • 2024+

  • -

  • 全新現(xiàn)貨價格優(yōu)勢

  • APTGT75DA170D1G
    APTGT75DA170D1G

    APTGT75DA170D1G

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 98653

  • 原廠

  • MODULE

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨??！

  • APTGT75DA170D1G
    APTGT75DA170D1G

    APTGT75DA170D1G

  • 林沃田信息技術(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • IGBT 1700V 120A 520W

  • 22+

  • -

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
APTGT75DA170D1G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT 1700V 120A 520W D1
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 半導體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
  • 600V
  • Vge, Ic時的最大Vce（開）
  • 1.4V @ 15V，100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止（最大）
  • 100µA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標準
  • NTC 熱敏電阻
  • 無
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4，miniBLOC
  • 供應商設備封裝
  • SOT-227B
APTGT75DA170D1G 技術參數
  • APTGT75DA120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:357W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5.34nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT75DA120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:357W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5.34nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT75DA120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:357W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:4mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5345nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGT75A60T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 100A 250W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.62nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT75A170D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 120A 520W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120A 功率 - 最大值:520W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGT75H120TG APTGT75H60T1G APTGT75H60T2G APTGT75H60T3G APTGT75SK120D1G APTGT75SK120T1G APTGT75SK120TG APTGT75SK170D1G APTGT75SK60T1G APTGT75TA120PG APTGT75TA60PG APTGT75TDU120PG APTGT75TDU60PG APTGT75TL60T3G APTGT75X60T3G APTGTQ100A65T1G APTGTQ100DA65T1G APTGTQ100DDA65T3G
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