您好,歡迎來(lái)到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > A字母型號(hào)搜索 > A字母第2569頁(yè) >

APTM120SK68T1G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共6條 
  • 1
APTM120SK68T1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
  • RoHS
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM120SK68T1G 技術(shù)參數(shù)
  • APTM120SK56T1G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):18A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):672 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7736pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120SK29TG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):34A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):348 毫歐 @ 17A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):374nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):10300pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120SK15G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):60A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):175 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):748nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):20600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120H57FTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:4 個(gè) N 通道(H 橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):17A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):684 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):187nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5155pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120H57FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:4 個(gè) N 通道(H 橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):17A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):684 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):187nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5155pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20AM05FG APTM20AM05FTG APTM20AM06SG APTM20AM08FTG APTM20AM10FTG APTM20AM10STG APTM20DAM04G APTM20DAM05G APTM20DAM08TG APTM20DAM10TG APTM20DHM08G APTM20DHM10G APTM20DHM16T3G APTM20DHM16TG APTM20DHM20TG APTM20DUM04G APTM20DUM05G APTM20DUM05TG
配單專家

在采購(gòu)APTM120SK68T1G進(jìn)貨過(guò)程中,您使用搜索有什么問(wèn)題和建議?點(diǎn)此反饋

友情提醒:為規(guī)避購(gòu)買APTM120SK68T1G產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn),建議您在購(gòu)買APTM120SK68T1G相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責(zé)聲明:以上所展示的APTM120SK68T1G信息由會(huì)員自行提供,APTM120SK68T1G內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

買賣IC網(wǎng) (beike2008.cn) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動(dòng)信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號(hào) | 粵ICP備14064281號(hào)