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參數(shù)資料
| 型號： | A1010B-VQG80I |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁數(shù)： | 78/98頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1200 GATES 80-VQFP IND |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 90 |
| 系列： | ACT™ 1 |
| LAB/CLB數(shù)： | 295 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 57 |
| 門數(shù)： | 1200 |
| 電源電壓： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 80-TQFP |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 80-VQFP（14x14） |
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8
Ac t e l MI L- S T D- 8 83 P r o d u c t Fl o w
Step
Screen
883 Method
883—Class B
Requirement
1.
Internal Visual
2010, Test Condition B
100%
2.
Temperature Cycling
1010, Test Condition C
100%
3.
Constant Acceleration
2001, Test Condition D or E,
Y1, Orientation Only
100%
4.
Seal
a. Fine
b. Gross
1014
100%
5.
Visual Inspection
2009
100%
6.
Pre-Burn-In
Electrical Parameters
In accordance with applicable Actel
device specification
100%
7.
Burn-in Test
1015, Condition D,
160 hours @ 125°C or 80 hours @ 150°C
100%
8.
Interim (Post-Burn-In)
Electrical Parameters
In accordance with applicable Actel
device specification
100%
9.
Percent Defective Allowable
5%
All Lots
10.
Final Electrical Test
a. Static Tests
(1) 25°C
(Subgroup 1, Table I)
(2) –55°C and +125°C
(Subgroups 2, 3, Table I)
b. Functional Tests
(1) 25°C
(Subgroup 7, Table I)
(2) –55°C and +125°C
(Subgroups 8A and 8B, Table I)
c. Switching Tests at 25°C
(Subgroup 9, Table I)
In accordance with applicable Actel
device specification, which includes a, b, and c:
5005
100%
11.
External Visual
2009
100%
Note:
When Destructive Physical Analysis (DPA) is performed on Class B devices, the step coverage requirement as specified in Method 2018
must be waived.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 971-025-030R121 | BACKSHELL DB25 DIECAST NKL 45DEG |
| A42MX16-2PQG100I | IC FPGA MX SGL CHIP 24K 100-PQFP |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| A1010-JQ44B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Field Programmable Gate Array (FPGA) |
| A1010-JQ44C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Field Programmable Gate Array (FPGA) |
| A1010-JQ44I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Field Programmable Gate Array (FPGA) |
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