2-40 Revision 13 Timing Characteristics Table 2-50 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS HIgh Slew
參數(shù)資料
型號： A3P250-VQ100T
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 171/220頁
文件大小： 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 250K 100-VQFP
標準包裝： 90
系列： ProASIC3
RAM 位總計： 36864
輸入/輸出數(shù)： 68
門數(shù)： 250000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 125°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-VQFP（14x14）
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁當前第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁
ProASIC3 DC and Switching Characteristics
2-40
Revision 13
Timing Characteristics
Table 2-50 3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS HIgh Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Applicable to Advanced I/O Banks
Drive
Strength
Equiv.
Software
Default
Drive
Strength
Option1
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN tPY tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS Units
100 A
4 mA
Std.
0.60
11.84 0.04 1.02 0.43 11.84 10.00 4.10 4.04 15.23 13.40
ns
–1
0.51
10.07 0.04 0.86 0.36 10.07 8.51 3.48 3.44 12.96 11.40
ns
–2
0.45
8.84 0.03 0.76 0.32
8.84
7.47 3.06 3.02 11.38 10.00
ns
100 A
6 mA
Std.
0.60
7.59 0.04 1.02 0.43
7.59
6.18 4.62 4.95 10.98 9.57
ns
–1
0.51
6.45 0.04 0.86 0.36
6.45
5.25 3.93 4.21 9.34
8.14
ns
–2
0.45
5.67 0.03 0.76 0.32
5.67
4.61 3.45 3.70 8.20
7.15
ns
100 A
8 mA
Std.
0.60
7.59 0.04 1.02 0.43
7.59
6.18 4.62 4.95 10.98 9.57
ns
–1
0.51
6.45 0.04 0.86 0.36
6.45
5.25 3.93 4.21 9.34
8.14
ns
–2
0.45
5.67 0.03 0.76 0.32
5.67
4.61 3.45 3.70 8.20
7.15
ns
100 A
12 mA
Std.
0.60
5.46 0.04 1.02 0.43
5.46
4.29 4.97 5.54 8.86
7.68
ns
–1
0.51
4.65 0.04 0.86 0.36
4.65
3.65 4.22 4.71 7.53
6.54
ns
–2
0.45
4.08 0.03 0.76 0.32
4.08
3.20 3.71 4.14 6.61
5.74
ns
100 A
16 mA
Std.
0.60
5.15 0.04 1.02 0.43
5.15
3.89 5.04 5.69 8.55
7.29
ns
–1
0.51
4.38 0.04 0.86 0.36
4.38
3.31 4.29 4.84 7.27
6.20
ns
–2
0.45
3.85 0.03 0.76 0.32
3.85
2.91 3.77 4.25 6.38
5.44
ns
100 A
24 mA
Std.
0.60
4.75 0.04 1.02 0.43
4.75
3.22 5.14 6.28 8.15
6.61
ns
–1
0.51
4.04 0.04 0.86 0.36
4.04
2.74 4.37 5.34 6.93
5.62
ns
–2
0.45
3.55 0.03 0.76 0.32
3.55
2.40 3.84 4.69 6.09
4.94
ns
Notes:
1. The minimum drive strength for any LVCMOS 3.3 V software configuration when run in wide range is ±100 A. Drive
strength displayed in the software is supported for normal range only. For a detailed I/V curve, refer to the IBIS models.
2. Software default selection highlighted in gray.
3. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
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