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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | A3P600-FGG484I |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁數(shù)： | 217/220頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1KB FLASH 600K 484-FBGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 40 |
| 系列： | ProASIC3 |
| RAM 位總計(jì)： | 110592 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 235 |
| 門數(shù)： | 600000 |
| 電源電壓： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 484-BGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 484-FPBGA（23x23） |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁當(dāng)前第217頁第218頁第219頁第220頁
ProASIC3 DC and Switching Characteristics
2-82
Revision 13
Timing Characteristics
VersaTile Specifications as a Sequential Module
The ProASIC3 library offers a wide variety of sequential cells, including flip-flops and latches. Each has a
data input and optional enable, clear, or preset. In this section, timing characteristics are presented for a
representative sample from the library. For more details, refer to the Fusion, IGLOO/e, and ProASIC3/E
Table 2-105 Combinatorial Cell Propagation Delays
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V
Combinatorial Cell
Equation
Parameter
–2
–1
Std.
Units
INV
Y = !A
tPD
0.40
0.46
0.54
ns
AND2
Y = A B
tPD
0.47
0.54
0.63
ns
NAND2
Y = !(A B)
tPD
0.47
0.54
0.63
ns
OR2
Y = A + B
tPD
0.49
0.55
0.65
ns
NOR2
Y = !(A + B)
tPD
0.49
0.55
0.65
ns
XOR2
Y = A
Bt
PD
0.74
0.84
0.99
ns
MAJ3
Y = MAJ(A, B, C)
tPD
0.70
0.79
0.93
ns
XOR3
Y = A
B Ct
PD
0.87
1.00
1.17
ns
MUX2
Y = A !S + B S
tPD
0.51
0.58
0.68
ns
AND3
Y = A B C
tPD
0.56
0.64
0.75
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
Figure 2-25 Sample of Sequential Cells
DQ
DFN1
Data
CLK
Out
D
Q
DFN1C1
Data
CLK
Out
CLR
DQ
DFI1E1P1
Data
CLK
Out
En
PRE
D
Q
DFN1E1
Data
CLK
Out
En
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