Revision 13 2-73 1.2 V DC Core Voltage Table 2-107 1.5 V LVCMOS Low Slew – Applies to 1.2 V DC Core" />
參數(shù)資料
型號(hào)： A3PE3000L-FGG484
廠商： Microsemi SoC
文件頁(yè)數(shù)： 231/242頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 3M 484-FBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 40
系列： ProASIC3EL
RAM 位總計(jì)： 516096
輸入/輸出數(shù)： 341
門(mén)數(shù)： 3000000
電源電壓： 1.14V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 484-BGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 484-FPBGA（23x23）
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)第134頁(yè)第135頁(yè)第136頁(yè)第137頁(yè)第138頁(yè)第139頁(yè)第140頁(yè)第141頁(yè)第142頁(yè)第143頁(yè)第144頁(yè)第145頁(yè)第146頁(yè)第147頁(yè)第148頁(yè)第149頁(yè)第150頁(yè)第151頁(yè)第152頁(yè)第153頁(yè)第154頁(yè)第155頁(yè)第156頁(yè)第157頁(yè)第158頁(yè)第159頁(yè)第160頁(yè)第161頁(yè)第162頁(yè)第163頁(yè)第164頁(yè)第165頁(yè)第166頁(yè)第167頁(yè)第168頁(yè)第169頁(yè)第170頁(yè)第171頁(yè)第172頁(yè)第173頁(yè)第174頁(yè)第175頁(yè)第176頁(yè)第177頁(yè)第178頁(yè)第179頁(yè)第180頁(yè)第181頁(yè)第182頁(yè)第183頁(yè)第184頁(yè)第185頁(yè)第186頁(yè)第187頁(yè)第188頁(yè)第189頁(yè)第190頁(yè)第191頁(yè)第192頁(yè)第193頁(yè)第194頁(yè)第195頁(yè)第196頁(yè)第197頁(yè)第198頁(yè)第199頁(yè)第200頁(yè)第201頁(yè)第202頁(yè)第203頁(yè)第204頁(yè)第205頁(yè)第206頁(yè)第207頁(yè)第208頁(yè)第209頁(yè)第210頁(yè)第211頁(yè)第212頁(yè)第213頁(yè)第214頁(yè)第215頁(yè)第216頁(yè)第217頁(yè)第218頁(yè)第219頁(yè)第220頁(yè)第221頁(yè)第222頁(yè)第223頁(yè)第224頁(yè)第225頁(yè)第226頁(yè)第227頁(yè)第228頁(yè)第229頁(yè)第230頁(yè)當(dāng)前第231頁(yè)第232頁(yè)第233頁(yè)第234頁(yè)第235頁(yè)第236頁(yè)第237頁(yè)第238頁(yè)第239頁(yè)第240頁(yè)第241頁(yè)第242頁(yè)
ProASIC3L Low Power Flash FPGAs
Revision 13
2-73
1.2 V DC Core Voltage
Table 2-107 1.5 V LVCMOS Low Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 1.4 V
Applicable to Pro I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS
Units
2 mA
Std.
0.77
8.65 0.05 1.99 2.77
0.50
8.81 7.17 3.06 2.41
10.83
9.18
ns
–1
0.66
7.36 0.04 1.69 2.36
0.43
7.50 6.10 2.61 2.05
9.21
7.81
ns
4 mA
Std.
0.77
7.40 0.05 1.99 2.77
0.50
7.53 6.26 3.39 3.02
9.55
8.27
ns
–1
0.66
6.29 0.04 1.69 2.36
0.43
6.41 5.33 2.89 2.57
8.12
7.04
ns
6 mA
Std.
0.77
6.94 0.05 1.99 2.77
0.50
7.07 6.09 3.46 3.19
9.08
8.11
ns
–1
0.66
5.91 0.04 1.69 2.36
0.43
6.01 5.18 2.94 2.72
7.73
6.90
ns
8 mA
Std.
0.77
6.85 0.05 1.99 2.77
0.50
6.98 6.10 3.57 3.80
8.99
8.11
ns
–1
0.66
5.83 0.04 1.69 2.36
0.43
5.94 5.19 3.04 3.23
7.65
6.90
ns
12 mA
Std.
0.77
6.85 0.05 1.99 2.77
0.50
6.98 6.10 3.57 3.80
8.99
8.11
ns
–1
0.66
5.83 0.04 1.69 2.36
0.43
5.94 5.19 3.04 3.23
7.65
6.90
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
Table 2-108 1.5 V LVCMOS High Slew – Applies to 1.2 V DC Core Voltage
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V, Worst-Case VCCI = 1.4 V
Applicable to Pro I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS
Units
2 mA
Std.
0.77
3.55 0.05 1.99 2.77
0.50
3.62 3.22 3.05 2.51
5.63
5.23
ns
–1
0.66
3.02 0.04 1.69 2.36
0.43
3.08 2.74 2.60 2.14
4.79
4.45
ns
4 mA
Std.
0.77
3.03 0.05 1.99 2.77
0.50
3.08 2.64 3.38 3.13
5.10
4.65
ns
–1
0.66
2.58 0.04 1.69 2.36
0.43
2.62 2.25 2.87 2.66
4.34
3.96
ns
6 mA
Std.
0.77
2.93 0.05 1.99 2.77
0.50
2.98 2.53 3.45 3.30
4.99
4.54
ns
–1
0.66
2.49 0.04 1.69 2.36
0.43
2.54 2.15 2.93 2.81
4.25
3.86
ns
8 mA
Std.
0.77
2.90 0.05 1.99 2.77
0.50
2.95 2.39 3.57 3.94
4.96
4.41
ns
–1
0.66
2.46 0.04 1.69 2.36
0.43
2.51 2.04 3.03 3.35
4.22
3.75
ns
12 mA
Std.
0.77
2.90 0.05 1.99 2.77
0.50
2.95 2.39 3.57 3.94
4.96
4.41
ns
–1
0.66
2.46 0.04 1.69 2.36
0.43
2.51 2.04 3.03 3.35
4.22
3.75
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-7 for derating values.
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PDF描述
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GBB105DHAR CONN EDGECARD 210PS R/A .050 SLD
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A3PE3000L-FGG484M 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:FPGA PROASIC3EL FAMILY 3M GATES 130NM (CMOS) TECHNOLOGY 1.2 - Trays 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 484FBGA
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A3PE3000L-FGG896I 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 3M 896-FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列） 系列:ProASIC3EL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:ProASICPLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):- RAM 位總計(jì):129024 輸入/輸出數(shù):248 門(mén)數(shù):600000 電源電壓:2.3 V ~ 2.7 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:- 封裝/外殼:352-BFCQFP，帶拉桿 供應(yīng)商設(shè)備封裝:352-CQFP（75x75）
A3PE3000L-FGG896M 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:FPGA PROASIC3EL FAMILY 3M GATES 130NM (CMOS) TECHNOLOGY 1.2 - Trays 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 896FBGA
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