2-28 Revision 11 Table 2-36 3.3 V LVCMOS Wide Range Low Slew Commercial-Ca" />
參數資料
型號： A3PN125-ZVQ100
廠商： Microsemi SoC
文件頁數： 52/114頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA NANO 125K GATES 100-VQFP
標準包裝： 90
系列： ProASIC3 nano
RAM 位總計： 36864
輸入/輸出數： 71
門數： 125000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應商設備封裝： 100-VQFP（14x14）
ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-28
Revision 11
Table 2-36 3.3 V LVCMOS Wide Range Low Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 2.7 V
Software Default Load at 35 pF for A3PN020, A3PN015, A3PN010
Drive
Strength
Equivalent
Software
Default
Drive
Strength
Option1
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tPYS tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
100 A
2 mA
Std.
0.60
8.20
0.04
1.57 2.18
0.43
8.20
7.68
3.26
3.38
ns
–1
0.51
6.97
0.04
1.33 1.85
0.36
6.97
6.53
2.77
2.87
ns
–2
0.45
6.12
0.03
1.17 1.62
0.32
6.12
5.73
2.43
2.52
ns
100 A
4 mA
Std.
0.60
8.20
0.04
1.57 2.18
0.43
8.20
7.68
3.26
3.38
ns
–1
0.51
6.97
0.04
1.33 1.85
0.36
6.97
6.53
2.77
2.87
ns
–2
0.45
6.12
0.03
1.17 1.62
0.32
6.12
5.73
2.43
2.52
ns
100 A
6 mA
Std.
0.60
6.42
0.04
1.57 2.18
0.43
6.42
6.05
3.72
4.16
ns
–1
0.51
5.46
0.04
1.33 1.85
0.36
5.46
5.14
3.17
3.54
ns
–2
0.45
4.79
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1.17 1.62
0.32
4.79
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2.78
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ns
100 A
8 mA
Std.
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6.42
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1.57 2.18
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5.46
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1.33 1.85
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5.46
5.14
3.17
3.54
ns
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0.45
4.79
0.03
1.17 1.62
0.32
4.79
4.52
2.78
3.11
ns
Notes:
1. The minimum drive strength for any LVCMOS 3.3 V software configuration when run in wide range is ±100 A. Drive
strength displayed in the software is supported for normal range only. For a detailed I/V curve, refer to the IBIS models.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating values.
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PDF描述
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HCC65DRXI-S734 CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD
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