Revision 11 2-45 DDR Module Specifications Input DDR Module Figure 2-15 Input DDR Timing Model Table 2" />
參數(shù)資料
型號： A3PN250-1VQG100I
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 70/114頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP
標準包裝： 90
系列： ProASIC3 nano
RAM 位總計： 36864
輸入/輸出數(shù)： 68
門數(shù)： 250000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應商設備封裝： 100-VQFP（14x14）
ProASIC3 nano Flash FPGAs
Revision 11
2-45
DDR Module Specifications
Input DDR Module
Figure 2-15 Input DDR Timing Model
Table 2-61 Parameter Definitions
Parameter Name
Parameter Definition
Measuring Nodes (from, to)
tDDRICLKQ1
Clock-to-Out Out_QR
B, D
tDDRICLKQ2
Clock-to-Out Out_QF
B, E
tDDRISUD
Data Setup Time of DDR input
A, B
tDDRIHD
Data Hold Time of DDR input
A, B
tDDRICLR2Q1
Clear-to-Out Out_QR
C, D
tDDRICLR2Q2
Clear-to-Out Out_QF
C, E
tDDRIREMCLR
Clear Removal
C, B
tDDRIRECCLR
Clear Recovery
C, B
Input DDR
Data
CLK
CLKBUF
INBUF
Out_QF
(to core)
FF2
FF1
INBUF
CLR
DDR_IN
E
A
B
C
D
Out_QR
(to core)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
A3PN250-Z1VQG100I IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP
HMM43DRYS CONN EDGECARD 86POS DIP .156 SLD
HSM36DRAS CONN EDGECARD 72POS R/A .156 SLD
HMM36DRAS CONN EDGECARD 72POS R/A .156 SLD
HMC35DRYS-S93 CONN EDGECARD 70POS DIP .100 SLD
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參數(shù)描述
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A3PN250-2VQG100 功能描述:IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:ProASIC3 nano 標準包裝:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):792 RAM 位總計:- 輸入/輸出數(shù):120 門數(shù):30000 電源電壓:1.14 V ~ 1.575 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:289-TFBGA，CSBGA 供應商設備封裝:289-CSP（14x14）
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